意法半导体推出极新G-HEMT系列GaN功率半导体产品

Writer： admin Time：2022-01-12 Browse：145

　　意法半导体（ST）昨日颁发G-HEMT系列首款GaN 功率半导体产物（PowerGaN），能大幅消重各式电子产物的能量耗费并缩短尺寸；可用于充？电器、PC 外接电源适配器、LED 照明驱动器、电视机等。

　　意法半导体（ST）昨日公告G-HEMT系列首款GaN功率半导体产物（PowerGaN），能大幅凄怨各式电子产物的能量就：义并屈、曲尺寸；可用于、充电器、PC 外接电源适配！器、LED 照；明驱动器、电视机等。不单如许，该产物亦能用于高”功率市集，像是产业驱动马达、太阳能逆变器、电动汽车及充电器等。

　　ST ”示意，环球消磨性电子产物的产量很大，若晋升功用便可大幅缩减二氧化碳排放。而氮化镓（GaN）是一种宽禁带化；合物半导体原料，其电压耐受：气力优于保守硅材料，且不会效用导通电阻顺从，故可消浸开合浪掷。其它，GaN 产物的开合服从也比古代的硅基产物的效用高，开合频率也或许“更高，故操纵电讲可选择？尺寸更小的被动元件。

　　ST 指出，上述一齐上风让设念职员得以淘汰功率蜕变器的总糜掷（淘汰产生的热）并晋升服从。是以，GaN： 可、让电子产物小型化，好比，选择GaN 的PC 电源适配器比目前广大的充电器尺。寸更小何况重量更轻。顺从相闭厂商的估计，行使GaN 元件后，标准的手机充电器可压缩高达40%，或于相通尺寸条件下或许输出更高的功率。

　　为此，ST 推出新G-HEMT 产物家族首款产物（650V SGT120R65A），其具有120m 最大导通电阻（Rds(on)）、15A 的最大输出电流和优化闸极驱动的开尔文接法”脚位。

　　意法半导体汽车和决裂元件产物部副总裁暨功率电晶体职业部总司理Edoardo！ Merli 示。意，商用GaN 产物是功：率半？导体的下？一？个沙场，而ST 推出附庸STPOWER 产物组合之新系列的首款产物，为消磨、资产和汽车电源行使带来突破性的功用发扬。另日ST 将垂垂实行PowerGaN 产物齐集，让环球客户都能联念出更高效、更小巧的电源。